目前市场上的存储卡大部分采用SLC或者MLC颗粒。这两者存在很大的差距，MLC全称为Multi Level Cell NAND闪存，主要由东芝、瑞萨供给，采用多层单元技术，主要采用0.13微米的制造工艺，电压3.3V，存取时间70us，擦写次数在10000次左右。MLC的特点是成本低、功耗高、速度慢。

    Single Level Cell NAND闪存主要由三星、现代生产，采用0.09微米制造工艺，在性能和稳定性非常出色，电压最低可达1.8V，存取时间25us，擦写次数在100000次左右。SLC拥有众多优势，不仅速度更快、在能耗上要低于MLC，更可以保证相当MLC 10倍的寿命，其架构是比较先进的，更加适合对功耗要求严格的数码产品。价格偏高是最大的弱项。从官方的资料中，我们了解到，这款SD卡采用了SLC颗粒，在读取速度上应该有一个较好的底限。

    与以往一样，测试平台我们依然采用了NAPA双核本机，CPU为酷睿T2300，主频1.66GHz，主板芯片组为945GM，将平台对USB的限制降到了最低，操作系统为Windows XP PRO SP2中文版，软件方面依然采用了ATTO Disk bench32及HDBENCH v3.3。读卡器方面，我们除了采用口碑和速度均比较出色的Kingmax USB 2.0 SD/MMC Card Reader PRO，也采用了eagletec针对150X闪存卡推出的ET-MRE2812U-D 28in1 超高速读卡器。